Görsel mevcut değil
2N2219AE3
- Üretici
- Microchip
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR SMALL-SIGNAL BJT
2N2219AE3 Hakkında
2N2219AE3, Microchip Technology tarafından üretilen NPN tipi small-signal BJT transistördür. Through Hole montajlı TO-39 metal kanister kasaya sahip bu bileşen, 800mA maksimum kollektor akımı ve 800mW güç dağıtımı kapasitesiyle çalışır. 100 minimum DC akım kazancına (hFE @ 150mA, 10V) sahiptir. -55°C ile +200°C (TJ) geniş çalışma sıcaklık aralığında operasyon yapabilir. 50V kollektor-emitter breakdown voltajı ve 1V saturasyon voltajı (50mA, 500mA) özellikleriyle, düşük sinyal seviyesi amplifikasyon, switching ve general purpose uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Ses frekansı ve RF devreleri tasarımında tercih edilen geleneksel bir bileşendir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 200°C (TJ)
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TO-39
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V