Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.
2N2219A
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-NPN SI- GEN PUR AMP
2N2219A Hakkında
2N2219A, NTE Electronics tarafından üretilen silisyum tabanlı NPN bipolar transistördür. Genel amaçlı amplifikasyon uygulamaları için tasarlanmıştır. 800 mA maksimum kolektör akımı, 800 mW güç dağıtımı kapasitesi ve 40V maksimum kolektor-emitter gerilim özellikleriyle donatılmıştır. TO-39 metal kutulu pakette sunulan bu transistör, ses amplifikasyonu, sinyal işleme ve diğer düşük-orta güç amplifikasyon devreleri için uygun bir seçimdir. TO-205AD montaj tipi ile through-hole uygulamalarına uygundur.
Ürün Özellikleri
10 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
800 mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Part Status
Active
Power - Max
800 mW
Supplier Device Package
TO-39
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40 V