Görsel mevcut değil
2DD1766P-13
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 32V 2A SOT89-3
2DD1766P-13 Hakkında
2DD1766P-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-89-3 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 32V collector-emitter gerilimi ve 2A collector akımı ile çalışabilir. 220MHz transition frequency özelliğiyle orta frekanslı uygulamalara uygundur. 1W maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile düşük ve orta güçlü sinyal amplifikasyon, switching ve modülasyon devrelerinde kullanılır. -55°C ile +150°C geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. DC current gain değeri (hFE) 500mA collector akımında 82 olarak belirtilmiştir. Aktif parça durumundadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
82 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition
220MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
SOT-89-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
800mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
32 V