Görsel mevcut değil
2DD1664R-13
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 32V 1A SOT89-3
2DD1664R-13 Hakkında
2DD1664R-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount teknolojisine uygun SOT-89-3 (TO-243AA) paketinde sunulmaktadır. 32V maksimum Collector-Emitter gerilimi ve 1A maksimum collector akımı ile tasarlanmıştır. 280MHz transition frekansı ile hız gerektiren anahtarlama ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) 100mA, 3V koşullarında minimum 180 değerini sağlar. 400mV doyma voltajı ve 1W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama devreleri, ses amplifikatörleri, RF uygulamaları ve genel endüstriyel elektronik sistemlerde tercih edilebilir. -55°C ile 150°C arasında geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılmaya elverişlidir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition
280MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
SOT-89-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
32 V