Görsel mevcut değil
2DB1713-13
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 12V 3A SOT89-3
2DB1713-13 Hakkında
2DB1713-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount SOT-89-3 paketinde sunulmaktadır. 12V'luk Vce(Br) dış kırılma gerilimi ve 3A maksimum kolektör akımı ile karakterize edilmektedir. 900mW maksimum güç dissipasyonuna sahip bu transistör, 180MHz transition frequency ile yüksek hızlı uygulamalarda kullanılabilir. 270'lik minimum DC akım kazancı (hFE) 500mA kolektör akımında ve 2V Vce'de belirtilmiş olup, 250mV'luk doyma gerilimi sayesinde anahtarlama uygulamalarında etkili çalışır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ile endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilmektedir. Ses amplifikasyonu, genel amaçlı anahtarlama ve düşük güçlü motor kontrol devreleri başlıca kullanım alanlarıdır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
270 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
180MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
900 mW
Supplier Device Package
SOT-89-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 30mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12 V