Görsel mevcut değil
2DB1188R-13
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 32V 2A SOT89-3
2DB1188R-13 Hakkında
2DB1188R-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-89-3 paketinde sunulan bu komponentin maksimum kollektör akımı 2A, kollektör-emitter gerilimi 32V'dir. DC akım kazancı (hFE) 500mA akımda 180 değerine ulaşır. 120MHz transition frequency ile orta hızlı uygulamalarda kullanılabilir. Maksimum güç tüketimi 1W olup, geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ile 150°C arasında) stabil performans sunar. Anahtarlama devreleri, amplifikasyon uygulamaları ve düşük güçlü sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition
120MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
SOT-89-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
800mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
32 V