Görsel mevcut değil
2DB1188P-13
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 32V 2A SOT89-3
2DB1188P-13 Hakkında
2DB1188P-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-89-3 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 2A kolektör akımı ve 32V kırılma gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 120MHz transition frekansı ve 82 minimum hFE değeri ile sinyallerin anahtarlanması ve amplifikasyon işlemlerinde yer bulur. 1W maksimum güç yönetim kapasitesi, -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığı endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında güvenilir performans sağlar. ICBO 100nA'ya kadar düşük cutoff akımı ile düşük sızıntı karakteristiği gösterir. Anahtarlama devreleri, düşük frekanslı amplifikatörler ve genel amaçlı switching uygulamalarında yer alır. Not: Bu ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
82 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition
120MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
SOT-89-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
800mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
32 V