Görsel mevcut değil
2DB1182Q-13
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- TO-252-3
- Açıklama
- TRANS PNP 32V 2A TO252
2DB1182Q-13 Hakkında
2DB1182Q-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP bipolar junction transistördür (BJT). TO-252-3 (DPak) Surface Mount paketinde sunulan bu transistör, maksimum 2A kolektör akımı ve 32V çıkıştır. 120 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 110MHz geçiş frekansıyla, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 10W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışır. 800mV maksimum doyum voltajı ve 1µA maksimum kesme akımıyla düşük güç uygulamalarında tercih edilir. Tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol sistemleri ve elektronik anahtarlama devrelerinde yaygın olarak uygulanır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition
110MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
10 W
Supplier Device Package
TO-252-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
800mV @ 200mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
32 V