Görsel mevcut değil
2DB1132R-13
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 32V 1A SOT89-3
2DB1132R-13 Hakkında
2DB1132R-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-89-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 32V collector-emitter gerilimi altında 1A'e kadar collector akımını kontrolle edebilmektedir. 190MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunmaktadır. 500mV saturation voltajı ile enerji verimliliği sağlayan bu transistör, ses amplifikatörleri, güç anahtarlama devreleri, genel amaçlı anahtarlama ve sinyal kuvvetlendirme uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition
190MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
SOT-89-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
32 V