Görsel mevcut değil
2DB1132Q-13
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 32V 1A SOT89-3
2DB1132Q-13 Hakkında
2DB1132Q-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount teknolojisinde TO-243AA (SOT-89-3) paketinde sunulmaktadır. 32V maksimum collector-emitter gerilimi ve 1A maksimum collector akımı ile çalışan bu transistör, 190MHz transition frequency'ye sahiptir. 120 minimum DC akım kazancı (hFE) ile orta seviye anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılabilir. 500mV saturation voltajı ve 500nA maksimum collector cutoff akımı özellikleriyle düşük güç uygulamalarında tercih edilebilir. 1W maksimum power dissipation kapasitesi bulunmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında dayanıklılık gösterir. Genel amaçlı anahtarlama ve işaret amplifikasyonu gibi elektronik devreler için uygun bir çözümdür. Parça durumu itibariyle artık üretilmemektedir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition
190MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
SOT-89-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
32 V