Görsel mevcut değil
2DB1132P-13
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 32V 1A SOT89-3
2DB1132P-13 Hakkında
2DB1132P-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP bipolar junction transistör (BJT) olarak tasarlanmıştır. 32V maksimum kolektor-emitter gerilimi ve 1A maksimum kolektor akımı ile çalışan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 190MHz transition frequency ile yüksek hızlı sinyal işleme devrelerinde tercih edilebilir. SOT-89-3 (TO-243AA) yüzey montaj paketinde sunulan transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır. 500mV saturasyon gerilimi ve 82 minimum DC akım kazancı (hFE) özellikleri ile düşük güç seviyesi uygulamalarına uygundur. Maksimum 1W güç disipasyonu kapasitesi ile sınırlı güç bütçesi olan tasarımlarda yer alabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
82 @ 100mA, 3V
Frequency - Transition
190MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
SOT-89-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
32 V