Görsel mevcut değil
2DB1119S-13
- Üretici
- Diodes Incorporated
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 25V 1A SOT89-3
2DB1119S-13 Hakkında
2DB1119S-13, Diodes Incorporated tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-89-3 yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 1A kolektör akımı ve 25V breakdown voltajı ile çalışır. 200MHz transition frekansı sayesinde orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) 140 (50mA, 2V koşullarında) olup, maksimum 700mV saturasyon voltajı ile iyi anahtarlama özellikleri gösterir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, güç tüketimi 1W ile sınırlıdır. Analog sinyal amplifikasyonu, düşük seviye anahtarlama devreleri, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yer bulur. Obsolete durumda olduğu için yeni tasarımlarda yerine geçecek alternatif bileşenlerin değerlendirilmesi önerilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
140 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition
200MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-243AA
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
SOT-89-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
25 V