Görsel mevcut değil
WG50N65DHWQ
- Üretici
- Ween Semiconductors
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT TRENCH FD ST 650V 91A TO247
WG50N65DHWQ Hakkında
WG50N65DHWQ, WeEn Semiconductors tarafından üretilen Trench Field Stop tipi IGBT transistördür. 650V maximum collector-emitter gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun olup, 91A sürekli collector akımı kapasitesine sahiptir. Darbe akımında 200A'e kadar çıkabilmektedir. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri alanında inverter, konvertör, motor sürücü ve hızlı anahtarlama gereken endüstriyel kontrol devrelerde yaygın olarak tercih edilmektedir. 160nC gate charge değeri ile dengeli bir anahtarlama karakteristiği sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olması, çeşitli ortam şartlarında kullanılmasını mümkün kılmaktadır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
91 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
200 A
Gate Charge
160 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
278 W
Reverse Recovery Time (trr)
105 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
1.7mJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
66ns/163ns
Test Condition
400V, 50A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V