Görseller temsilidir, tam özellikler için datasheet'e bakınız.
VS4V8BU1ART7R
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TVS DIODE 4.8VWM 11VC SMD2012
- Aile / Seri
- VS4V8BU1ART7
VS4V8BU1ART7R Hakkında
VS4V8BU1ART7R, ROHM Semiconductor tarafından üretilen bir TVS (Transient Voltage Suppression) diyotudur. 4.8V standby voltajında çalışan bu bileşen, 11V clamping voltajında 100A peak pulse akımını destekler. SMD2012 paketinde sunulan komponent, elektrik devrelerinde ani voltaj darbeleri ve ESD (Electrostatic Discharge) olaylarına karşı koruma sağlar. 1100W peak pulse gücü ile güç kaynakları, sinyal hatları ve veri iletişim devrelerinde genel amaçlı koruma uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Ürün Özellikleri
14 özellik
Applications
General Purpose
Bidirectional Channels
1
Current - Peak Pulse (10/1000µs)
100A (8/20µs)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TA)
Package / Case
0805 (2012 Metric)
Part Status
Active
Power - Peak Pulse
1100W (1.1kW)
Power Line Protection
No
Supplier Device Package
SMD2012
Type
Zener
Voltage - Breakdown (Min)
4.85V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp
11V
Voltage - Reverse Standoff (Typ)
4.8V (Max)