Görsel mevcut değil
US6X5TR
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 12V 2A TUMT6
US6X5TR Hakkında
US6X5TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistöre (BJT) ait bir tekil komponenttir. 12V maksimum Vce breakdown voltajı ve 2A maksimum collector akımı ile düşük-orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun olarak tasarlanmıştır. 360MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine imkân sağlar. 1W maksimum güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığıyla endüstriyel ortamlarda yer alabilir. DC current gain (hFE) minimum 270 değeri ile yeterli amplifikasyon özellikleri sunar. 6-SMD flat leads paket tipi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uyumludur. Ses amplifikasyonu, sinyal amplifikasyonu, anahtarlama devreler ve genel amaçlı amplifier uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
270 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition
360MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
6-SMD, Flat Leads
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TUMT6
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
180mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12 V