Görsel mevcut değil
US6X5TR
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- TUMT6
- Açıklama
- TRANS NPN 12V 2A TUMT6
- Aile / Seri
- US6X5TR
US6X5TR Hakkında
US6X5TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistöre (BJT) ait bir tekil komponenttir. 12V maksimum Vce breakdown voltajı ve 2A maksimum collector akımı ile düşük-orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun olarak tasarlanmıştır. 360MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine imkân sağlar. 1W maksimum güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığıyla endüstriyel ortamlarda yer alabilir. DC current gain (hFE) minimum 270 değeri ile yeterli amplifikasyon özellikleri sunar. 6-SMD flat leads paket tipi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uyumludur. Ses amplifikasyonu, sinyal amplifikasyonu, anahtarlama devreler ve genel amaçlı amplifier uygulamalarında tercih edilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
270 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition
360MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
6-SMD, Flat Leads
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TUMT6
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
180mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12 V
İlgili Ürünler
