Görsel mevcut değil
US6X4TR
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 30V 2A TUMT6
US6X4TR Hakkında
US6X4TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar jonksiyon transistörüdür (BJT). 30V maksimum kolektör-emitter gerilimi ve 2A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygun bileşendir. 270'lik minimum DC akım kazancı (hFE) ve 280MHz geçiş frekansı sayesinde hızlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerine uygulanabilir. 400mW maksimum güç dağılımı ve 150°C çalışma sıcaklığı ile sürücü devreler, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. TUMT6 paketlemesiyle yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uygun olan bu transistör, endüstriyel ve tüketici elektroniğinde geniş kullanım alanına sahiptir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
270 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition
280MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
6-SMD, Flat Leads
Part Status
Active
Power - Max
400 mW
Supplier Device Package
TUMT6
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
370mV @ 75mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V