Görsel mevcut değil
US6X3TR
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 12V 3A TUMT6
US6X3TR Hakkında
US6X3TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, 12V kollektör-emitter kırılma gerilimi ve 3A maksimum kollektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 360MHz transition frequency ile yüksek hızlı anahtarlama ve amplifikasyon işlemleri için tasarlanmıştır. 400mW güç dağıtım kapasitesi ve 250mV doyum gerilimi ile DC ve darbe uygulamalarında tercih edilir. 6-SMD yassı bacak paketinde sunulan bu bileşen, 150°C'ye kadar çalışabilir. Ses amplifikatörleri, güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak yer alır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
270 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
360MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
6-SMD, Flat Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
400 mW
Supplier Device Package
TUMT6
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
250mV @ 30mA, 1.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
12 V