Görsel mevcut değil
US6T6TR
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 30V 2A TUMT6
US6T6TR Hakkında
US6T6TR, ROHM Semiconductor tarafından üretilen yüksek hızlı PNP bipolar jonksiyon transistörüdür. 30V maksimum collector-emitter gerilimi ve 2A maksimum collector akımı ile karakterize edilir. 360MHz transition frekansı sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 270 minimum DC current gain değeri ile sinyal amplifikasyonu sağlar. 180mV maksimum doyum gerilimi ve 1W maksimum güç dağılımı özelliği vardır. Surface Mount TUMT6 paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 150°C arasında çalışır. Ses frekansı amplifikatörleri, hızlı anahtarlama devreleri, elektronik anahtarlar ve logik devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. Active status ile güncel ürün olarak stokta mevcuttur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
270 @ 200mA, 2V
Frequency - Transition
360MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
6-SMD, Flat Leads
Part Status
Active
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TUMT6
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
180mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V