Görsel mevcut değil
TTC1949-Y,LF
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.5A HF
TTC1949-Y,LF Hakkında
TTC1949-Y,LF, Toshiba tarafından üretilen NPN tipi bipolar transistördür. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mA maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 100MHz transition frequency sayesinde yüksek hızlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerine uygundur. 200mW maksimum güç disipasyonu ile sınırlı güç gerektiren devrelerde tercih edilir. DC akım kazancı (hFE) 100mA akımda 120 minimum değerdedir. TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, ses amplifikatörleri, RF devreler, anahtarlama uygulamaları ve sinyal işleme devrelerinde yaygın olarak kullanılır. -40°C ile +150°C arası çalışma sıcaklığında güvenilir performans sağlar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
S-Mini
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V