Görsel mevcut değil
TTC1949-GR,LF
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- NPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.5A HF
TTC1949-GR,LF Hakkında
TTC1949-GR,LF, Toshiba tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar junction transistördür. 50V kolektör-emitter breakdown voltajı ve 500mA maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 100MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemlerine ve RF/IF devrelerinde kullanılabilir. 180 minimum DC akım kazanç (100mA, 1V koşullarında) ve 400mV saturasyon voltajı ile verimli amplifikasyon sağlar. SOT-23-3 (SC-59, TO-236-3) yüzeye monte paketinde sunulan bu transistör, tüketici elektroniği, ses amplifikatörleri, anahtarlama devreleri ve endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında 200mW güç tüketimi ile uzun ömürlü çalışma garantiler.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
500 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
180 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
200 mW
Supplier Device Package
S-Mini
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V