Görsel mevcut değil
TTC008(Q)
TTC008(Q) Hakkında
TTC008(Q), Toshiba tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, 285V collector-emitter breakdown voltajı ve 1.5A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 1.1W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile motor kontrol, aydınlatma, switching uygulamaları ve amplifikasyon devrelerinde yer alabilir. 80 minimum hFE (DC current gain), 1V Vce saturation voltajı ve 150°C maksimum junction sıcaklığı ile stabil çalışma karakteristiği sunar. Through-hole montajı ile PCB'ye direkt lehimleme yapılabilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1.5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
80 @ 1mA, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Active
Power - Max
1.1 W
Supplier Device Package
PW-MOLD2
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 62.5mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
285 V