Görsel mevcut değil
TTA003,L1NQ(O
TTA003,L1NQ(O Hakkında
TTA003,L1NQ(O, Toshiba tarafından üretilen PNP tip bipolar junction transistördür (BJT). TO-252-3 DPak yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 80V collector-emitter breakdown voltajı ve 3A maksimum collector akımı ile çalışır. 100MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamaları için uygun bir komponenttir. 10W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahip olan TTA003, 150°C'ye kadar çalışan ortam sıcaklığında güvenilir performans sunar. Düşük ICBO akımı (100nA max) ve 100 minimum hFE (500mA, 2V'de) ile güç amplifikatörü, anahtar devreler ve genel amaçlı transistör uygulamalarında kullanılır. 500mV maksimum VCE(sat) değeri hızlı anahtar işlemi gerektiren tasarımlara uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status
Active
Power - Max
10 W
Supplier Device Package
PW-MOLD
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V