Görsel mevcut değil
TSC966CT B0G
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR, NPN, 400V, 0.3A, 100
TSC966CT B0G Hakkında
TSC966CT B0G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 400V collector-emitter breakdown voltajı ve 300mA maksimum collector akımı ile orta gerilim ve düşük akım uygulamalarında kullanılan genel amaçlı transistördür. 100 minimum DC current gain (hFE) değeri ile sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama devrelerinde uygulanabilir. 50MHz transition frequency ile RF uygulamalarında sınırlı kullanım alanına sahiptir. Through-hole montaj türü ile eski tasarımlar ve prototyping çalışmalarında tercih edilir. 1W maksimum güç disipasyonu ve 150°C işletme sıcaklığı aralığı ile endüstriyel ortamlarda kullanılabilir. Lojik devreler, küçük sinyal amplifikasyonu, darbe şekillendirme ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmıştır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
300 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition
50MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Part Status
Obsolete
Power - Max
1 W
Supplier Device Package
TO-92
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1V @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V