Görsel mevcut değil
TSC5802DCHC5G
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Kılıf / Paket
- IPAK
- Açıklama
- TRANSISTOR, NPN, 450V, 2.5A, 18A
TSC5802DCHC5G Hakkında
TSC5802DCHC5G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar transistördür. 450V collector-emitter breakdown voltajı ve 2.5A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-251 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, 30W maksimum güç disipasyon kapasitesine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 100mA, 5V şartlarında en az 50'dir. Vce doyum voltajı 2A akımda maksimum 3V'tur. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimleme yapılabilir. 150°C üst çalışma sıcaklığı ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. Endüstriyel, tüketici ve telekomünikasyon uygulamalarında yer bulur.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
2.5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
50 @ 100mA, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Active
Power - Max
30 W
Supplier Device Package
TO-251 (IPAK)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
3V @ 600mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
450 V