Görsel mevcut değil
TSC5304EDCHC5G
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Kılıf / Paket
- IPAK
- Açıklama
- TRANSISTOR, NPN, 400V, 4A, 8A/A
TSC5304EDCHC5G Hakkında
TSC5304EDCHC5G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). 400V collector-emitter breakdown voltajı ve 4A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-251 (IPAK) paketinde gelen komponent, 35W maksimum güç dağıtımı kapasitesine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 1A, 5V koşullarında minimum 17'dir. Vce saturation voltajı 2.5A akımda 1.5V olup, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde uygulanır. 150°C maksimum bağlantı sıcaklığında çalışabilir. Endüstriyel kontrol, güç yönetimi ve motor sürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
4 A
Current - Collector Cutoff (Max)
250µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
17 @ 1A, 5V
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status
Active
Power - Max
35 W
Supplier Device Package
TO-251 (IPAK)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 500mA, 2.5A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V