Görsel mevcut değil
TS13002ACT A3G
- Üretici
- Taiwan Semiconductor
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANSISTOR, NPN, 400V, 0.3A, 20A
TS13002ACT A3G Hakkında
TS13002ACT A3G, Taiwan Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmıştır. 400V collector-emitter breakdown gerilimi ve 300mA maksimum collector akımı ile güç elektronikleri, anahtarlama devreleri ve sinyal amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 600mW maksimum dissipasyon gücü ve 25 (minimum hFE @ 100mA, 10V) akım kazancı ile kontrollü amplifikasyon sağlar. 4MHz transition frekansı orta hızlı anahtarlama işlemlerine uygundur. Through-hole TO-92 paketlemesi ve 150°C maksimum işletme sıcaklığı ile endüstriyel ve tüketim ürünlerinde yaygın olarak yer alır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
300 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
25 @ 100mA, 10V
Frequency - Transition
4MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Active
Power - Max
600 mW
Supplier Device Package
TO-92
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.5V @ 20mA, 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
400 V