Görsel mevcut değil
TPT5609-B-AP
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- DIODE
TPT5609-B-AP Hakkında
TPT5609-B-AP, Micro Commercial Components (MCC) tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, through-hole monte türüdür. 1A maksimum collector akımı ve 190MHz geçiş frekansı ile orta frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 750mW maksimum güç dağıtma kapasitesine sahip bu komponent, 85 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 500mV doyum gerilimi ile düşük seviye sürücü devreleri, ses frekansı amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan komponent, eski tasarımlarda ve retro elektronik projeleri için geçerli bir seçenektir. TO-92 standardı paket tipi, basit ve ekonomik tasarımlar için elverişlidir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
85 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
190MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
750 mW
Supplier Device Package
TO-92
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 80mA, 800mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
20 V