Görsel mevcut değil
TPT5609-A-AP
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- DIODE
TPT5609-A-AP Hakkında
TPT5609-A-AP, Micro Commercial Components tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. 1A maksimum collector akımı, 750mW güç dağıtım kapasitesi ve 190MHz transition frequency ile orta hız uygulamalara uygundur. 20V collector-emitter breakdown voltajı ve 500mV saturation voltajı (800mA, 80mA koşullarında) ile genel sinyal amplifikasyon ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışabilen TO-92 paketli bu transistör, endüstriyel kontrol, tüketici elektroniği ve ses amplifikasyonu uygulamalarında tercih edilir. Cihaz artık üretimi sonlandırılmıştır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
60 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition
190MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Part Status
Obsolete
Power - Max
750 mW
Supplier Device Package
TO-92
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
500mV @ 80mA, 800mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
20 V