Görsel mevcut değil
TPC6503(TE85L,F,M)
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
TPC6503(TE85L,F,M) Hakkında
TPC6503(TE85L,F,M), Toshiba tarafından üretilen NPN tipinde bir bipolar junction transistör (BJT) olup, surface mount uygulamalar için tasarlanmıştır. SOT-23-6 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 1.5A collector akımı, 30V collector-emitter breakdown voltajı ve 400 (minimum) DC current gain özellikleriyle orta güç uygulamalarında kullanılabilir. 1.6W maksimum güç dağıtma kapasitesi ile darbe ve anahtarlama devrelerinde, amplifikatör ve sürücü uygulamalarında yer bulur. 150°C işletme sıcaklığına kadar çalışabilir ve minimum 120mV saturation voltajı ile düşük kayıp devreler için uygundur. Last Time Buy statüsündedir.
Ürün Özellikleri
12 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1.5 A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
400 @ 150mA, 2V
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Part Status
Last Time Buy
Power - Max
1.6 W
Supplier Device Package
VS-6 (2.9x2.8)
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
120mV @ 10mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
30 V