Görsel mevcut değil
TMBT3906,LM
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 50V 0.15A SOT23-3
TMBT3906,LM Hakkında
TMBT3906,LM, Toshiba tarafından üretilen bir PNP bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu bileşen, 50V maksimum Vce ile 150mA kolektör akımına kadar çalışabilir. 250MHz transition frequency ile orta frekanslı uygulamalara uygundur. DC current gain (hFE) minimum 100 değeridir. Maksimum 320mW güç dağıtabilir ve 150°C çalışma sıcaklığına dayanır. Vce saturation voltajı 400mV olup anahtarlama uygulamalarında düşük güç kaybı sağlar. Küçük sinyal amplifikasyonu, anahtarlama devreleri ve genel amaçlı PNP transistör uygulamalarında kullanılır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
150 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition
250MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
320 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V