Görsel mevcut değil
TMBT3904,LM
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS NPN 50V 0.15A SOT23-3
TMBT3904,LM Hakkında
TMBT3904,LM, Toshiba tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). SOT-23-3 yüzey montajlı paket ile sunulan bu transistör, 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 150mA maksimum collector akımı ile çalışır. 300MHz transition frequency değeri ile hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 320mW maksimum güç disipasyonu kapasitesi bulunan bileşen, düşük sinyal amplifikasyonu, ses ve RF uygulamaları başta olmak üzere güç kaynağı kontrolü, motor sürücüleri ve genel amaçlı anahtarlama devrelerinde tercih edilir. Geniş çalışma sıcaklığı aralığında (150°C'ye kadar) stabil performans sunar.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
150 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition
300MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
320 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
300mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V