Görsel mevcut değil
TIP34B
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- TRANS PNP 80V 10A TO218
TIP34B Hakkında
TIP34B, NTE Electronics tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup TO-218 paketinde sunulmaktadır. Maksimum 10A kollektör akımı, 80V collector-emitter gerilim dayanımı ve 80W maksimum güç dissipasyonu kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. DC akım kazancı (hFE) minimum 100 (3A, 4V koşullarında), geçiş frekansı 3MHz seviyesindedir. -65°C ile +150°C arasındaki geniş işletme sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, güç amplifikatörleri, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Through-hole montaj tipi ile PCB'ye doğrudan lehimleme yapılabilir.
Ürün Özellikleri
11 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
10 A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-65°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-218-3
Part Status
Active
Power - Max
80 W
Supplier Device Package
TO-218
Transistor Type
PNP
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V