Görsel mevcut değil
TIP31B
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-NPN SI- AF PO
TIP31B Hakkında
TIP31B, NTE Electronics tarafından üretilen silisyum tabanlı NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 3A kolektör akımı ve 80V collector-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 2W maksimum güç dağıtım kapasitesine sahip olan TIP31B, audio amplifikatörleri, güç sürücüleri ve switching uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 150°C işletme sıcaklığına kadar çalışabilen bu bileşen, 3MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. Through-hole montaj tipi sayesinde geleneksel PCB tasarımlarına kolayca entegre edilebilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
3 A
Current - Collector Cutoff (Max)
300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
TO-220-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V