Görsel mevcut değil
TIP30B
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-PNP SI- PO SW
TIP30B Hakkında
TIP30B, NTE Electronics tarafından üretilen PNP tipi silisiyum bipolar transistördür. TO-220-3 paketinde sunulan bu komponent, düşük sinyaller ile yüksek güç seviyelerine sahip uygulamalarda anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri gerçekleştirmek üzere tasarlanmıştır. Maksimum 1A kolektör akımı, 80V kolektör-emiter gerilimi ve 2W güç kapasitesi ile güç elektronikleri devreleri, motor kontrolü, amplifikatör uygulamaları ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 3MHz transition frequency ile orta hızlı komutasyon uygulamalarına uygundur. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir ve through-hole montaj teknolojisi ile PCB'ye entegrasyonu kolaydır.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
40 @ 200mA, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
TO-220
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 125mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
80 V