Görsel mevcut değil
TIP29A
- Üretici
- NTE Electronics
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- T-NPN SI- PO SW
TIP29A Hakkında
TIP29A, NTE Electronics tarafından üretilen bir silikon NPN bipolar junction transistor (BJT) olup, güç uygulamaları için tasarlanmıştır. TO-220-3 paketinde sunulan bu bileşen, 1A'e kadar collector akımını, 60V'luk collector-emitter breakdown voltajını ve 2W'lık maksimum güç dağıtımını destekler. 3MHz transition frequency ile orta hız uygulamalarında kullanılabilir. 700mV'luk doyum voltajı ve 15'lik minimum DC current gain (hFE) özellikleri ile, anahtarlama devrelerinde, güç amplifikasyonunda ve sürücü uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Maksimum çalışma sıcaklığı 150°C olan TIP29A, endüstriyel kontrol, enerji yönetimi ve genel amaçlı transistor uygulamaları için uygundur.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
1 A
Current - Collector Cutoff (Max)
300µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
15 @ 1A, 4V
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-220-3
Part Status
Active
Power - Max
2 W
Supplier Device Package
TO-220-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 125mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60 V