Görsel mevcut değil
TBC857B,LM
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- X34 PB-F SOT-23 TRANSISTOR FOR L
TBC857B,LM Hakkında
TBC857B,LM, Toshiba tarafından üretilen PNP tipi bipolar junction transistör (BJT) olup SOT-23-3 (SC-59, TO-236-3) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. Maksimum 150mA collector akımı, 210 minimum DC current gain (hFE), 80MHz transition frequency ve 50V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışır. 320mW güç derecelendirmesi ile düşük sinyal amplifikasyon, anahtarlama ve genel amaçlı transistor uygulamalarında kullanılan bir komponenttir. Surface mount teknolojisi sayesinde kompakt PCB tasarımlarına uygun olup, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
150 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
30nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
210 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
80MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
320 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
650mV @ 100mA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V