Görsel mevcut değil
TBC847B,LM
- Üretici
- Toshiba
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- X34 PB-F SOT-23 TRANSISTOR FOR L
TBC847B,LM Hakkında
TBC847B,LM, Toshiba tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. SOT-23-3 (SC-59, TO-236-3) yüzey montajlı paketinde sunulmaktadır. Maksimum 150mA collector akımı, 200 minimum DC current gain (hFE) ve 100MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 320mW maksimum güç derecelemesi ile düşük işaret güçlü devre tasarımlarında, ses amplifikasyon kademelerinde, lojik seviye dönerme devrelerinde ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir.
Ürün Özellikleri
13 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
150 mA
Current - Collector Cutoff (Max)
30nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition
100MHz
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150°C (TJ)
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status
Active
Power - Max
320 mW
Supplier Device Package
SOT-23-3
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
400mV @ 100mA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50 V