Görsel mevcut değil
STGYA120M65DF2AG
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT
STGYA120M65DF2AG Hakkında
STGYA120M65DF2AG, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 160A sürekli akım ve 360A darbe akımı kapasitesine sahiptir. Vce(on) değeri 15V gate geriliminde 120A'de 2.15V olup, 625W maksimum güç yönetebilir. Anahtarlama enerjisi açma için 1.8mJ, kapatma için 4.41mJ olarak belirtilmiştir. -55°C ile +175°C sıcaklık aralığında çalışabilen bu transistör, yüksek hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Endüstriyel sürücüler, motor kontrol sistemleri, güç kaynakları ve inverter uygulamalarında tercih edilen bir seçimdir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
160 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
360 A
Gate Charge
420 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
625 W
Reverse Recovery Time (trr)
202 ns
Supplier Device Package
MAX247™
Switching Energy
1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
66ns/185ns
Test Condition
400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 120A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V