Görsel mevcut değil
STGYA120M65DF2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
STGYA120M65DF2 Hakkında
STMicroelectronics tarafından üretilen STGYA120M65DF2, Trench Gate Field-Stop teknolojisine dayalı NPT tipi IGBT transistördür. TO-247-3 paket içinde sunulan bu bileşen, maksimum 650V kolektör-emiter gerilimi ve 160A sürekli kolektör akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 625W maksimum güç kapasitesi ve 1.95V işletme gerilimi ile endüstriyel sürücüler, enerji dönüştürücüler, motor kontrol sistemleri ve kaynak cihazları gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilme kabiliyeti geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
160 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
360 A
Gate Charge
420 nC
IGBT Type
NPT, Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3 Exposed Pad
Part Status
Active
Power - Max
625 W
Reverse Recovery Time (trr)
202 ns
Supplier Device Package
MAX247™
Switching Energy
1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
66ns/185ns
Test Condition
400V, 120A, 4.7Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.95V @ 15V, 120A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V