Görsel mevcut değil
STGWT80H65DFB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 650V 120A 469W TO3P-3L
STGWT80H65DFB Hakkında
STGWT80H65DFB, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 120A sürekli kollektor akımı ve 469W maksimum güç yönetebilme kapasitesine sahiptir. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel güç uygulamalarında, motorlu sürücülerde, invertörlerde ve anahtarlama power supply devrelerinde kullanılır. 84ns açılış ve 280ns kapanış gecikmesi ile hızlı anahtarlama performansı sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 2V tipik Vce(on) değeri ile düşük konuksiyon kaybı sağlar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
120 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
240 A
Gate Charge
414 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Active
Power - Max
469 W
Reverse Recovery Time (trr)
85 ns
Supplier Device Package
TO-3P
Switching Energy
2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
84ns/280ns
Test Condition
400V, 80A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 80A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V