Görsel mevcut değil
STGWT40H65DFB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 650V 80A 283W TO3P-3L
STGWT40H65DFB Hakkında
STGWT40H65DFB, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V/80A kapasiteli Trench Field Stop teknolojili IGBT transistördür. TO-3P-3 paketinde sunulan bu komponent, maksimum 283W güç yönetimi kapabiliyetine sahiptir. 40ns açılış ve 142ns kapanış zamanları ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Gate charge 210nC ve reverse recovery time 62ns değerleri ile verimli komütasyon sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. İleri beslemeli çevirici (forward converter), DC-DC dönüştürücüler, UPS sistemleri, endüstriyel motor kontrol uygulamaları ve ağır akım yönetim devrelerinde kullanılır. Vce(on) 2V @ 15V/40A ile düşük iletim kaybı sunmaktadır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
160 A
Gate Charge
210 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Active
Power - Max
283 W
Reverse Recovery Time (trr)
62 ns
Supplier Device Package
TO-3P
Switching Energy
498µJ (on), 363µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
40ns/142ns
Test Condition
400V, 40A, 5Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 40A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V