Görsel mevcut değil
STGWT38IH130D
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 1300V 63A 250W TO3P
STGWT38IH130D Hakkında
STGWT38IH130D, STMicroelectronics tarafından üretilen 1300V yüksek voltaj IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistörüdür. 63A collector akımı kapasitesi ve 250W maksimum güç derecelendirmesi ile güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. TO-3P paketinde monte edilen bu bileşen, DC/AC invertör devreleri, kaynak makineleri, endüstriyel sürücüler ve enerji dönüştürme sistemlerinde yer alır. 127nC gate charge değeri hızlı anahtarlama performansı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığı ile geniş uygulama ortamlarına uyum gösterir. Bileşen üretimi durdurulmuş (obsolete) olup, yedek parça bulunması sınırlıdır.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
63 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
125 A
Gate Charge
127 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3 Full Pack
Part Status
Obsolete
Power - Max
250 W
Supplier Device Package
TO-3P
Switching Energy
3.4mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
-/284ns
Test Condition
960V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.8V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1300 V