Görsel mevcut değil
STGWT30H65FB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 650V 30A 260W TO3PL
STGWT30H65FB Hakkında
STGWT30H65FB, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Field Stop IGBT transistörüdür. 30A sürekli ve 120A darbe collector akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 260W maksimum güç dağıtımında çalışabilir. TO-3P-3 paketinde sunulan transistör, güç elektronik uygulamalarında anahtarlama elemanı olarak kullanılır. Hızlı anahtarlama özelliği (37ns açılış, 146ns kapanış) sayesinde inverter, konvertör ve motor sürücü devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 2V Vce(on) düşük doyum voltajı ile enerji kaybını minimalize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen transistör, endüstriyel ve otomotiv alanlarında yaygın olarak kullanılmıştır. (Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur)
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
30 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
149 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
260 W
Supplier Device Package
TO-3P
Switching Energy
151µJ (on), 293µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
37ns/146ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V