Görsel mevcut değil
STGWT30H60DFB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 60A 260W TO3PL
STGWT30H60DFB Hakkında
STMicroelectronics tarafından üretilen STGWT30H60DFB, 600V darbeye dayanıklı Trench Field Stop teknolojisi ile tasarlanmış bir IGBT transistörüdür. 60A sürekli kolektör akımı ve 120A maksimum darbe akımı özelliğine sahiptir. TO-3P-3 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında, endüstriyel sürücü devrelerde, güç dönüştürücülerinde ve elektrik motor kontrol sistemlerinde kullanılır. 260W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında güvenilir performans sunar. 37ns on-time ve 146ns off-time ile hızlı anahtarlama özelliği sayesinde verimli enerji yönetimi sağlar.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
60 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120 A
Gate Charge
149 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3, SC-65-3
Part Status
Active
Power - Max
260 W
Reverse Recovery Time (trr)
53 ns
Supplier Device Package
TO-3P
Switching Energy
383µJ (on), 293µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
37ns/146ns
Test Condition
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 30A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V