Görsel mevcut değil
STGWF30NC60S
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- —
- Açıklama
- IGBT 600V 35A 79W TO3P
STGWF30NC60S Hakkında
STGWF30NC60S, STMicroelectronics tarafından üretilen 600V/35A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. TO-3P paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 79W maksimum güç yeteneğine sahip olan bu transistör, endüstriyel sürücüler, güç kaynakları ve motor kontrol devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. 150A pulslu collector akımı ve hızlı anahtarlama özellikleri (Td on/off: 21.5ns/180ns) ile dinamik performans sağlar. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışabilir.
Ürün Özellikleri
15 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
35 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
96 nC
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case
TO-3P-3 Full Pack
Part Status
Active
Power - Max
79 W
Supplier Device Package
TO-3P
Switching Energy
300µJ (on), 1.28mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
21.5ns/180ns
Test Condition
480V, 20A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600 V