Görsel mevcut değil
STGWA80H65DFB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT BIPO 650V 80A TO247-3
STGWA80H65DFB Hakkında
STGWA80H65DFB, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V/80A kapasiteli Trench Field Stop tipi IGBT transistörüdür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, 120A maksimum sürekli ve 240A darbe kollektör akımını işleyebilmektedir. Vce(on) değeri 15V gate gerilimi ve 80A akımda 2V olup, yüksek hızlı anahtarlama özellikleri ile 84ns açılma ve 280ns kapanma zamanlarına sahiptir. 414nC gate yüküne ve 469W maksimum güç dağıtımına sahip olan cihaz, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Düşük ters kurtarma süresi (85ns) ve optimize edilmiş anahtarlama enerjisi ile endüstriyel güç dönüştürme uygulamalarında, motor kontrol sürücülerinde ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılan bir transistördür.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
120 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
240 A
Gate Charge
414 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Obsolete
Power - Max
469 W
Reverse Recovery Time (trr)
85 ns
Supplier Device Package
TO-247 Long Leads
Switching Energy
2.1mJ (on), 1.5mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
84ns/280ns
Test Condition
400V, 80A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 80A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V