Görsel mevcut değil
STGWA75M65DF2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
STGWA75M65DF2 Hakkında
STGWA75M65DF2, STMicroelectronics tarafından üretilen Trench Gate Field-Stop teknolojisinde bir IGBT transistördür. TO-247-3 paket türünde sunulan bu bileşen, maksimum 650V kolektor-emitter gerilimi ve 120A (120A DC, 225A pulse) kolektor akımı ile çalışabilir. 2.1V sabit durum voltajı (VCE(on)) ve düşük switching enerjisi özellikleriyle anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. Reverse recovery time değeri 165ns olarak belirtilmiştir. -55°C ile +175°C arasında güvenli çalışma sağlar ve maksimum 468W güç disipasyonuna olanak tanır. Endüstriyel sürücü uygulamaları, güç kaynakları, motor kontrol sistemleri ve enerji dönüştürme devrelerinde tercih edilen bir bileşendir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
120 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
225 A
Gate Charge
225 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
468 W
Reverse Recovery Time (trr)
165 ns
Supplier Device Package
TO-247 Long Leads
Switching Energy
690µJ (on), 2.54mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
47ns/125ns
Test Condition
400V, 75A, 3.3Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 75A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V