Görsel mevcut değil
STGWA60H65DFB
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- IGBT BIPO 650V 60A TO247-3
STGWA60H65DFB Hakkında
STGWA60H65DFB, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V, 60A kapasiteli bir IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) transistördür. Trench Field Stop teknolojisi kullanılarak tasarlanan bu bileşen, yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında düşük kayıp ve hızlı anahtarlama performansı sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, 375W maksimum güç dağıtabilir ve -55°C ile 175°C arasında güvenli şekilde çalışabilir. 306nC gate charge ve 66ns/210ns açılış/kapanış gecikme süreleriyle inverter, motor sürücüsü, güç kaynağı ve enerji dönüştürme sistemlerinde kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 60ns ters geri kazanım zamanı ve optimize edilmiş anahtarlama enerjisi sayesinde EMI emisyonlarını azaltır ve verimlilik arttırır.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
240 A
Gate Charge
306 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
375 W
Reverse Recovery Time (trr)
60 ns
Supplier Device Package
TO-247-3
Switching Energy
1.59mJ (on), 900µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
66ns/210ns
Test Condition
400V, 60A, 10Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 60A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V