Görsel mevcut değil
STGWA50M65DF2
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
STGWA50M65DF2 Hakkında
STGWA50M65DF2, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Gate Field-Stop IGBT transistördür. TO-247-3 paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 80A kollektör akımı ve 150A darbe akımı kapasitesi ile endüstriyel uygulamalar için tasarlanmıştır. 2.1V (Vce(on)) ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge 150nC, reverse recovery time 162ns ve hızlı switching karakteristiği (42ns turn-on, 130ns turn-off @ 25°C) ile yüksek hızlı güç anahtarlaması uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. İnverterler, motor kontrolü, kaynak makinaları ve UPS gibi endüstriyel güç dönüştürme devreleri için uygulandığı uygulamalarda tercih edilir.
Ürün Özellikleri
17 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
80 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
150 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
375 W
Reverse Recovery Time (trr)
162 ns
Supplier Device Package
TO-247 Long Leads
Switching Energy
880µJ (on), 1.57mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
42ns/130ns
Test Condition
400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V