Görsel mevcut değil
STGWA50IH65DF
- Üretici
- STMicroelectronics
- Kategori
- Kılıf / Paket
- TO-247-3
- Açıklama
- TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT 650
STGWA50IH65DF Hakkında
STGWA50IH65DF, STMicroelectronics tarafından üretilen 650V Trench Gate Field-Stop IGBT transistörüdür. 100A (DC) ve 150A (Pulsed) maksimum kolektör akımı ile çalışan bu bileşen, anahtarlama uygulamalarında yüksek frekanslı işlemleri gerçekleştirmek için tasarlanmıştır. 2V maksimum doyum gerilimi (Vce(on)) ve 260ns kapalı durum gecikmesi (Td off) sayesinde verimli enerji dönüştürme sağlar. TO-247-3 paketinde sunulan komponent, 300W maksimum güç kapasitesine sahiptir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilmesi, geniş endüstriyel ve ticari uygulamalar için uygun hale getirmektedir. Güç kaynakları, motor kontrol devreleri, inverter tasarımları ve UPS sistemlerinde kullanılır.
Ürün Özellikleri
16 özellik
Current - Collector (Ic) (Max)
100 A
Current - Collector Pulsed (Icm)
150 A
Gate Charge
158 nC
IGBT Type
Trench Field Stop
Input Type
Standard
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case
TO-247-3
Part Status
Active
Power - Max
300 W
Supplier Device Package
TO-247 Long Leads
Switching Energy
284µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C
-/260ns
Test Condition
400V, 50A, 22Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650 V